本文標(biāo)題："使用光學(xué)顯微鏡測(cè)量蛋白質(zhì)晶體蝕刻后樣品的特點(diǎn)"
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使用光學(xué)顯微鏡測(cè)量蛋白質(zhì)晶體蝕刻后樣品的特點(diǎn)
量子點(diǎn)成長(zhǎng)模式
早期的量子點(diǎn)制作大多使用蝕刻技術(shù)為主，不易得到品質(zhì)良好、
納米尺度的量子點(diǎn)，后來(lái)的化學(xué)蝕刻、濺鍍等方式也無(wú)法達(dá)到對(duì)量子
點(diǎn)品質(zhì)的要求，這些方法不僅會(huì)對(duì)樣品表面造成傷害并且也會(huì)對(duì)量子
點(diǎn)的發(fā)光特性造成損害，所以近年來(lái)多采用磊晶(epitaxy)的方法來(lái)成
長(zhǎng)量子點(diǎn)，而本論文是用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沈積法(metal organic
chemical vapor deposition 簡(jiǎn)稱(chēng) MOCVD)來(lái)成長(zhǎng)。MOCVD主要的原
理是利用氣流輸送反應(yīng)氣體原子，將反應(yīng)氣體原子帶到基板表面，經(jīng)
由擴(kuò)散到基板表面產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)形成鍵結(jié)，而我們可以控制成長(zhǎng)的條
件，例如：溫度、壓力、磊晶的速率等，來(lái)改變量子點(diǎn)的形狀、大小、
密度，因此這些參數(shù)可說(shuō)是控制量子點(diǎn)特性的關(guān)鍵所在
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