本文標(biāo)題："敘述了半導(dǎo)體和薄膜器件的基本制造過程"

發(fā)布者：YIYI ------ 分類: 站內(nèi)動態(tài) ------ 人瀏覽過 -----時間：2015-9-29 17:52:9

敘述了半導(dǎo)體和薄膜器件的基本制造過程

   敘述了半導(dǎo)體和薄膜器件的基本制造過程，如果
控制了污染，就能提高生產(chǎn)率，大量生產(chǎn)優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，但這只是說明
微電子電路的制造及其在制造過程中污染的影響，而沒有說明微
電子電路產(chǎn)品的使用以及污染對操作性能的有害影響。電阻器、
電容器和互連電路的功能是眾所周知的，而由污染所引起的短路
和開路，其后界很嚴(yán)重?？傊?，對半導(dǎo)體器件的電氣功能不搞清楚
的話，則對由污染而引起的產(chǎn)品工作失效就更難弄清了。
 
    本章的目的是要說消楚半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與工作特性，以及由污染
引起的主要失效模式方面的相互關(guān)系。需要討論的半導(dǎo)體器件的
失效模式有:(1)鈍化層(sio,)上的電荷;(2)在潮濕環(huán)境中鈍化層
表面雜質(zhì)離子的分離;(3)鈍化P里雜質(zhì)離子遷移;(4)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
中的金屬沉淀; (5)微粒的影響。以上幾點也可用來說明薄膜器件
的失效模式。
    半導(dǎo)休器件必須采用非常純的材料，并在其中加入精確數(shù)量
的雜質(zhì)來制造。非所需的雜質(zhì)含量，那怕只有百萬分之幾的數(shù)量，
也可以使半導(dǎo)休器件的工作受到完全破壞。下面將敘述如何構(gòu)成
半導(dǎo)體器件良好的工作特性以及它對低雜質(zhì)濃度的敏感度。

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