本文標題："預測額定功率條件下的失效率數碼顯微鏡測量"

發布者：YIYI ------ 分類: 站內動態 ------ 人瀏覽過 -----時間：2015-10-2 11:26:37

預測額定功率條件下的失效率數碼顯微鏡測量

    來自大氣的鈉污染 從下面的實驗說明，在大氣條件下貯存
的樣品，很快被鈉和鈉化合物所污染。在通常的試驗室，氧化硅晶
片貯存2天后，鈉的污染程度為1016原子/厘米氣，然而，在過濾層
流潔凈化臺中，氧化晶片貯存2天以后，鈉的污染程度為6x門
原子/厘米，貯存20天以后，鈉的污染程度可達8x1012到5x10
原子/厘米。貯存120天以后，鈉的污染程度達到2x1014到1.5
x 101“原子/厘米。也可以檢驗鉀對硅片的污染情況。所以硅片
在用于器件之前，如不進行適當的清洗，這種污染便能發生反型層
問題。
    周圍環境中所含的鈉不好測定。然而可以推測，如不把硅片
安置在水平層流型的氣流中，周圍環境中相當大的粒子就會沉積
在硅片上，這些塵較中通常含有鈉，或者在其表面附著鈉。
    產品與工廠環境的關系
    人們很早就發現粒子會使半導體器件失效。在幾年前，當第
一次應用平面制造工藝時，才弄清了硅晶休管失效率和環境條件
的實際關系。初，在昔通的工廠環境中，在小規模試驗性生產的
墓礎上，開始制造npn平面型晶體管，在這種環境條件下，大于
0.5微米的灰塵的數量級通常是10粒子/立方英尺。后來，把生
產線設置在相對潔凈的空氣中(=2000-10000粒子/立方英尺)，
并嚴格固定工作位置。圖2-10表示在這兩種環境下，對產品進行
加速壽命試驗的結果。加速壽命試驗是在器件輸入兩倍額定功
率，使芯片溫度超過額定值的情況下進行的。因為和失效率有關
的一個重要因素是試驗測出的結溫，所以，可以采用在加速壽命試
驗條件下測量的失效率來預測額定功率條件下的失效率。

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